碳化矽 (SiC) 是一種發展潛力強大的材料，與矽基元件相比，其在增益效率和功率密度方面具有優勢，可提供高電壓和高電流。臨界電壓 (Vt) 是功率 MOSFET 的關鍵裝置特性參數。

然而，使用 SiC MOSFET 進行臨界電壓量測存在可靠性問題，臨界電壓可能會根據先前的閘極偏壓而出現變化。

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精選儀器

Keithley 2600B 系列 SMU

Keithley 的 2600B 系列系統 SMU 儀器是適用於高度自動化生產測試應用的業界標準電流電壓輸出與量測解決方案。

雙通道和單通道型號都緊密整合了精密電源供應器、真電流來源、數位萬用電錶和具有脈衝產生功能的電子負載。此外，TSP® 技術可為自動化系統應用執行完整的測試程式，而 TSP-Link® 技術可提供多達 64 個通道，以進行大容量平行測試。

Keithley SMU 2650 系列 高功率SourceMeter^®

2650 系列高功率 SourceMeter SMU 儀器專為特性分析和測試高電壓/電流電子設備和功率半導體而設計，例如二極體、FET 和 IGBT、高亮度 LED、直流/直流轉換器、電池、太陽能電池，以及其他高功率材料、元件、模組和子組件。

這些儀器可提供前所未有的功率、精確度、速度、靈活性和易用性，以提高研發、生產測試和可靠性環境的生產力。