本影片涵蓋：

在純電動車的傳動系統逆變器中，碳化矽 (SiC) MOSFET 正在取代矽 IGBT。在本演講中，我們將討論材料特性的組合，這些特性能使 SiC 成為高電壓、快速切換、高溫功率半導體。然而，我們也會關注仍然存在的挑戰，特別是在降低整個 SiC 供應鏈的成本方面，其中基板市場的創新，加上製造產量和裝置加工的逐步改進，將會在未來幾年降低相關的成本。