新しいハイパワー半導体デバイス実装の課題と対策
このアプリケーション・ノートではワイド・バンドギャップ・デバイスの特長と、重要なテスト項目である、特性曲線、リーク電流を含むI-V特性、オン抵抗、オフ抵抗、ブレークダウン電圧、リーク電流のテストの解説と、正確な測定方法について紹介しています。
ワイド・バンドギャップ・デバイスは、シリコンよりも高い電圧、周波数、温度で動作することで、コストとエネルギー効率の革新的な組み合わせが可能になり、次世代のパワー・モジュールの新しい潮流になっています。一方、SiCをベースとした半導体、パワー・モジュールの設計と製造には、それまでよりも厳しいテストが必要になっています。
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はじめに
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窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（SiC）の登場
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デバイスのライフサイクルにおける包括的なテスト
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ソースメータ（SMU）
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ハイパワー半導体の重要なテスト項目
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まとめ